光源リング

光源リングの周長は72m、蓄積電子のエネルギーは1.2GeV、エミッタンスは約53nm-radである。ラティスの構造はTriple Bend セルの4回対称であり、硬Ｘ線を発生するために12台の偏向電磁石のうち4台を5T超伝導電磁石とする。常伝導偏向電磁石の偏向角は39度、超伝導偏向電磁石は12度である。それぞれの超伝導偏向電磁石から2～3本のビームラインを取り出すことで10本程度の硬Ｘ線ビームラインの建設が可能である。また、長さ約2.8mの直線部が4ヶ所あり、入射と高周波加速空洞用にそれぞれ1ヶ所使用する。残り2ヶ所には挿入光源を配置する予定である。

入射には50MeV線形加速器と1.2GeVブースターシンクロトロンを使用する。蓄積リングでの加速を避けること、またトップアップ運転を可能とするために1.2GeVでのフルエネルギー入射を行う。ブースターシンクロトロンのラティス構造はFODO型を予定している。